电子发烧友网站提供《SBR雪崩能量应用笔记.pdf》资料免费下载
2023-07-25 17:37
有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件
2017-09-22 11:44
雪崩电流IAS和IAR :下图ID峰值 单次雪崩能量EAS：一次性雪崩期间所能承受的能量， 以Tch<=150℃
2022-05-09 11:18
出色的封装，散热性能优良超低栅极电荷低反向传输电容快速开关能力额定雪崩能量
2025-07-09 15:11
= ½ LI2 计算的是FET的雪崩能量。这是测试的开始。通过改变电感器尺寸，你能够更改受测器件上施加的应力。可以预见的是，电感器越大，损坏FET所需的UIS电流越低。然而，这个较小的电流不会被方程式（用于计算
2015-11-19 15:46
超低栅极电荷 低反向传输电容 快速开关能力 雪崩能量测试 增强型dv/dt耐受能力，高鲁棒性
2025-07-09 14:42
超低栅极电荷 低反向传输电容 快速开关能力 雪崩能量测试 增强型dv/dt能力，高鲁棒性
2025-07-09 14:52
超低栅极电荷 低反向传输电容 快速开关能力 雪崩能量测试 提升的dv/dt耐受能力，高鲁棒性
2025-07-09 14:37
超低栅极电荷 低反向传输电容 快速开关能力 雪崩能量测试验证 增强型dv/dt耐受性，高鲁棒性
2025-07-09 14:30
超低栅极电荷 低反向传输电容 快速开关能力 雪崩能量测试认证 增强型dv/dt耐受能力，高鲁棒性
2025-07-09 14:49
