有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件
2017-09-22 11:44
= ½ LI2 计算的是FET的雪崩能量。这是测试的开始。通过改变电感器尺寸，你能够更改受测器件上施加的应力。可以预见的是，电感器越大，损坏FET所需的UIS电流越低。然而，这个较小的电流不会被方程式（用于计算
2015-11-19 15:46
= ½ LI2 计算的是FET的雪崩能量。这是测试的开始。通过改变电感器尺寸，你能够更改受测器件上施加的应力。可以预见的是，电感器越大，损坏FET所需的UIS电流越低。然而，这个较小的电流不会被方程式（用于计算
2018-09-05 15:37
强度足够大时，自由电子不断撞击介质内的离子，并把能量传递给离子使之电离，从而产生新的次级电子，这些次级电子在电场中获得能量而加速运动，又撞击并电离更多的离子，产生更多的次级电子，如此连锁反应，如同雪崩
2022-03-27 10:15
雪崩二极管如何帮助防止过电压？雪崩二极管的噪声是如何产生的？
2021-06-18 09:24
电二极管施加相对高（约20v）的反向偏置或反向电压，加速高能量的电子。这些电子和空穴与中性原子碰撞，将它们与其他结合的电子和空穴分开。这被称为导致雪崩作用的次要机制。结果，单个光子最终会产生许多电荷
2023-02-06 14:15
雪崩二极管的原理雪崩二极管的作用
2021-03-10 07:05
` 本帖最后由 gk320830 于 2015-3-8 04:33 编辑 雪崩三极管产生的电流跟什么有关系？跟Icmax 有关吗 ？它主要由什么决定？`
2011-08-16 03:13
我需要做一个高斯脉冲发生器，用到雪崩三极管，要求如下：产生时域脉宽0.5ns的高斯脉冲，幅值100V-1000V，由于脉冲的时间间隔比较小，所以很难通过放大器什么的来实现。请大家推荐几个雪崩三极管来实现这个。。。
2014-08-28 11:02
看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来，无钳位电感开关 (UIS) 额定值就已经被证明是一个非常有用的参数。虽然不建议在
2022-11-18 06:39
