什么是雪崩失效
2023-12-06 17:37
当功率器件承受的雪崩耐量超过极限后，芯片最终会损坏，然而单脉冲雪崩与重复雪崩的失效机理并不相同。
2024-02-25 15:48
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离，从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩
2023-02-13 09:30
在电子与电气工程领域，雪崩失效与过压击穿是两种常见的器件失效模式，它们对电路的稳定性和可靠性构成了严重威胁。尽管这两种失效模式在本质上是不同的，但它们之间存在一定的联系
2025-01-30 15:53
功率MOSFET的雪崩损坏有三种模式：热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2024-02-25 16:16
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。
2023-04-15 17:31
雪崩击穿（Avalanche Breakdown）是半导体器件中一个关键的物理现象，特别是在PN结二极管和各种类型的功率晶体管中。当这些器件的反向电压超过一定的临界值时，会突然有大量电流流过原本
2024-02-23 17:06
功率MOSFET在电力电子设备中应用十分广泛，因其故障而引起的电子设备损坏也比较常见。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，对于MOSFET的进一步推广应用具有重要意义。
2023-12-04 15:57
本文对MOS失效原因总结以下六点，然后对1，2重点进行分析： 1、雪崩失效（电压失效），也就是漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力
2021-06-22 15:53
到底什么是雪崩失效呢，简单来说MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOSFET漏源之间，导致的一种失效模式。简而言之就是由于就是MOSFET漏源极的电压
2018-05-06 09:13
