有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件
2017-09-22 11:44
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 编辑 电容器的常见失效模式有：――击穿短路；致命失效――开路；致命失效――电参数变化（包括电容量超差、损耗角正切值增大、绝缘性能下降
2011-12-03 21:29
失效分析方法---PCB失效分析该方法主要分为三个部分，将三个部分的方法融汇贯通，不仅能帮助我们在实际案例分析过程中能够快速地解决失效问题，定位根因；还能根据我们建立的框架对新进工程师进行培训，方便
2020-03-10 10:42
看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来，无钳位电感开关 (UIS) 额定值就已经被证明是一个非常有用的参数。虽然不建议在
2022-11-18 06:39
失效分析（FA）是一门发展中的新兴学科，近年开始从军工向普通企业普及。它一般根据失效模式和现象，通过分析和验证，模拟重现失效的现象，找出失效的原因，挖掘出
2020-04-07 10:11
电子元器件由静电放电引发的失效可分为突发性失效和潜在性失效两种模式。 突发性失效是指元器件受到静电放电损伤后，突然完全丧失其规定的功能，主要表现为开路、短路或参数严
2013-03-25 12:55
电子元器件的失效原理 ESD静电放电是指静电荷通过人体或物体放电。静电在多个领域造成严重危害 。电子元器件由ESD静电放电引发的失效可分为突发性失效和潜在性失效两种模式
2013-12-28 10:07
内容包含失效分析方法，失效分析步骤，失效分析案例，失效分析实验室
2020-04-02 15:08
标题：芯片失效分析方法及步骤目录：失效分析方法失效分析步骤失效分析案例失效分析实验室介绍
2020-04-14 15:08
为了使他们的产品看起来更吸引人而玩儿的文字游戏所糊弄。看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来，无钳位电感开关 (UIS
2015-11-19 15:46
