雪崩击穿,雪崩击穿是什么意思 在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空
2010-02-27 11:49
雪崩击穿的概念 如何区别齐纳击穿和雪崩击穿 雪崩
2024-03-26 16:12
功率MOSFET雪崩击穿问题分析 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的
2009-07-06 13:49
崩击穿和齐纳击穿是半导体器件中常见的两种击穿现象，它们在物理机制、电压特性和应用方面有很大的区别。本文将对这两种击穿现象进行详细的介绍和分析。 一、
2023-12-30 17:06
IGBT关断时，如果关断过快，di/dt过大会导致Vce电压过大超过断态电压Uces时就有可能导致静态雪崩击穿。
2021-05-15 14:51
本推文包含两个部分，一个是雪崩击穿和碰撞电离的关系，一个是光电器件仿真简介。旨在提倡用理论知识去指导仿真，和通过仿真结果反过来加深对理论理解的重要性。
2023-11-27 18:26
什么是雪崩击穿？单脉冲雪崩与重复雪崩有何不同？雪崩击穿失效机理是什么？
2023-11-24 14:15
单脉冲雪崩击穿能量(Energy during avalanche for single pulse)，即 EAS。指的是MOSFET器件串联感性负载时，在单次脉冲(工作到关断)状态下，所能承受的最大能量消耗，单位是焦耳(J)，其值越大，器件在电路中遭遇瞬间过电压
2025-05-15 15:32
在博文 利用LED来作为单光子雪崩检测器[2] 中介绍了 油管上Robotix的LED单光子现象[3] 。 对于LED反向SPAD效应之前没有注意过， 下面通过实验来观察手边 一些LED反向击穿过程是否会出现单光子脉冲现象。
2023-01-31 17:29
电流。但是，故障不是永久性的。当这个大的反向偏置被移除时，二极管将恢复到正常状态。二极管的击穿可以有两种类型：（a）齐纳击穿和（b）雪崩击穿。
2024-05-05 14:38
