在了解雪崩击穿和齐纳击穿的区别之前我们还是要先搞懂什么叫击穿！击穿就是电介质在足够高的电场强度作用下瞬间失去介电功能的现
2022-03-27 10:15
求大神相助，Multisim里面雪崩晶体管的过压击穿怎么放着那，当我设的电压已经大于了Vcbo滞后还是不见晶体管导通。
2014-08-08 10:42
时，此时源端的载流子注入到耗尽层中，被耗尽层中的电场加速达到漏端，因此，穿通击穿的电流也有急剧增大点，这个电流的急剧增大和雪崩击穿时电流急剧增大不同，这时的电流相当于源衬底PN结正向导通时的电流，而
2019-02-12 13:59
有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件
2017-09-22 11:44
）。 当二极管受到高反向电压时，它会经历雪崩击穿。 耗尽层上的电场因反向偏置电压而增加。 入射光进入p+区域，并在电阻性很强的p区被进一步吸收。这里形成了电子-空穴对。 这些夫妇的分离是由
2023-02-06 14:15
雪崩二极管如何帮助防止过电压？雪崩二极管的噪声是如何产生的？
2021-06-18 09:24
什么是电容击穿？电容器被击穿的条件是什么？电容击穿是开路还是短路？电容击穿的原因是什么？如何避免介质击穿？
2021-06-18 09:59
并出现场致电子发射,产生出足夠多的自由电子相互碰撞导致雪崩效应,进而导致突发击穿电流击穿介质,使其失效。 除此之外,介质失效还有另一种模式,高压负荷下产生的热量会使介质材料的电阻率降低到某一
2012-03-14 17:58
MOSFET击穿电压之上，从而激活了其内在的寄生双极晶体管，并在FET上出现有效的雪崩效应。这项测试重复进行，电流逐渐增加，直到开始的泄漏测试失败，表明器件已被损坏。图1—UIS测试电路方程式E
2015-11-19 15:46
MOSFET击穿电压之上，从而激活了其内在的寄生双极晶体管，并在FET上出现有效的雪崩效应。这项测试重复进行，电流逐渐增加，直到开始的泄漏测试失败，表明器件已被损坏。图1—UIS测试电路方程式E
2018-09-05 15:37
