雪崩击穿是指材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强，雪崩击穿有正温度系数，使得阻挡层中的载流子的数量雪崩式地增加，流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结，这种现象称为电子雪崩现象。
电子发烧友
7806次浏览
雪崩击穿,雪崩击穿是什么意思 在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空
2010-02-27 11:49
雪崩击穿的概念 如何区别齐纳击穿和雪崩击穿 雪崩
2024-03-26 16:12
功率MOSFET雪崩击穿问题分析 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的
2009-07-06 13:49
崩击穿和齐纳击穿是半导体器件中常见的两种击穿现象，它们在物理机制、电压特性和应用方面有很大的区别。本文将对这两种击穿现象进行详细的介绍和分析。 一、
2023-12-30 17:06
IGBT关断时，如果关断过快，di/dt过大会导致Vce电压过大超过断态电压Uces时就有可能导致静态雪崩击穿。
2021-05-15 14:51
本推文包含两个部分，一个是雪崩击穿和碰撞电离的关系，一个是光电器件仿真简介。旨在提倡用理论知识去指导仿真，和通过仿真结果反过来加深对理论理解的重要性。
2023-11-27 18:26
什么是雪崩击穿？单脉冲雪崩与重复雪崩有何不同？雪崩击穿失效机理是什么？
2023-11-24 14:15
在了解雪崩击穿和齐纳击穿的区别之前我们还是要先搞懂什么叫击穿！击穿就是电介质在足够高的电场强度作用下瞬间失去介电功能的现
2022-03-27 10:15
