OPEAK提供雪崩光电探测器(APD)比带放大光电探测器（PIN），同样带宽下具有更高的灵敏度和更低的噪声，因此非常适合
2024-01-23 09:25
(400-1100 nm)的感应范围；我们探测器都采用跨阻放大结构，使得其具有低噪声，高灵敏度等特点，高增益下带宽最大可达到250MHz。请参考下表我们每个光电二极管指标，了解每个探测器的确切
2024-01-23 09:24
基于Crosslight先进的半导体器件仿真设计平台，我司技术团队已开发出可靠精准的雪崩光电探测器模型，在低反向偏压下，暗电流在2.5 nA/cm2左右，随着反向偏压慢慢增加，暗电流缓慢增加，直到
2020-03-15 16:41
雪崩光电二极管检测器（APD）与PIN二极管一样，用作光通信中的接收器。APD更灵敏，但必须正确偏置才能为给定的光子通量产生适当的电子流。图1所示为低噪声APD偏置电源
2023-03-10 09:32
描述了一种电路来偏置光纤接收器中使用的雪崩光电二极管。具有倍压器输出的简单升压转换器采用 25V 电源提供 71V 至
2023-06-10 14:33
研究团队所研制的APD器件工作于O波段（如图1所示），其工作电压约−14V、单位增益响应度达0.93 A/W。特别是，该器件获得48 GHz带宽的同时，增益系数高达12.8，对应的增益带宽积高达615 GHz
2022-07-25 15:26
研究组在前期Ga₂O₃/ITO n-n型雪崩探测器件成果的基础上（ACS Nano，2021，15：16654），经过不断探索，通过插入合适的宽带隙材料（MgO）对势垒高度进行了调整，成功研发了由β-Ga₂O₃/MgO/Nb:SrTiO₃异质结组成的n-Barri
2023-02-10 11:45
研究组在前期Ga₂O₃/ITO n-n型雪崩探测器件成果的基础上（ACS Nano，2021，15：16654），经过不断探索，通过插入合适的宽带隙材料（MgO）对势垒高度进行了调整，成功研发了由β-Ga₂O₃/MgO/Nb:SrTiO₃异质结组成的n-Barri
2023-02-06 15:35
利用半导体激光器可直接对注入电流进行高速调制的特点,将20 MHz 射频(RF) 信号直接加在半导体激光器的高频调制端口,射频信号的一部分经过相移器后,与雪崩
2009-12-11 09:17
光探测器按照工作原理和结构，通常分为光电探测器和热电探测器，其中光电探测器
2017-11-28 09:04
