雪崩二极管是利用半导体PN结中的雪崩倍增效应及载流子的渡越时间效应产生微波振荡的半导体器件。如果在二极管两端加上足够大的反向电压，使得空间电荷区展宽，从N+P结处一直展
2019-12-06 13:50
在电子工程领域中，二极管作为一种基本的电子元件，广泛应用于各种电路和设备中。其中，雪崩二极管和齐纳二极管作为两种特殊的二极管
2024-05-23 14:30
在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。
2018-08-20 08:46
二次光子在单光子雪崩探测器（SPAD）的雪崩过程中被发射，它们对内部和外部串扰都会有影响。在本例中，我们演示了如何计算SPAD中二次光源的位置与测量显微镜物镜之间的传递
2022-12-12 11:23
雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩一样增加载流子。
2018-08-20 09:05
当IGBT在高性能应用中高速接通和断开时，总会发生过压。例如，当关闭负载电流电路时，集电极发射极电压突然上升，达到非常高的峰值。由开关引起的过电压会严重损坏甚至破坏开关晶体管。
2018-08-02 15:33
雪崩光电二极管 (semiconductor avalanche photodiode )是具有内部光电流增益的半导体光电子器件，又称固态光电倍增管。
2018-08-20 09:25
当一个半导体二极管加上足够高的反向偏压时，在耗尽层内运动的载流子就可能因碰撞电离效应而获得雪崩倍增。
2018-08-20 09:44
在华为Mate 20 Pro智能手机中，前置光学模块采用金属外壳封装，集成多个摄像头和传感器，如RGB摄像头、环境光传感器、近红外（NIR）全局快门（GS）摄像头、泛光照明器、dToF接近传感器、红外点阵投影器。
2019-04-23 15:28
本文首先介绍了雪崩光电二极管的概念和主要特性然后简单分析了工作原理最后介绍雪崩光电二极管的应用和结构。
2019-08-01 10:10
