本文首先介绍了雪崩光电二极管的概念和主要特性然后简单分析了工作原理最后介绍雪崩光电二极管的应用和结构。
2019-08-01 10:10
雪崩二极管是利用半导体PN结中的雪崩倍增效应及载流子的渡越时间效应产生微波振荡的半导体器件。如果在二极管两端加上足够大的反向电压，使得空间电荷区展宽，从N+P结处一直展
2019-12-06 13:50
在电子工程领域中，二极管作为一种基本的电子元件，广泛应用于各种电路和设备中。其中，雪崩二极管和齐纳二极管作为两种特殊的二极
2024-05-23 14:30
雪崩光电二极管 (semiconductor avalanche photodiode )是具有内部光电流增益的半导体光电子器件，又称固态光电倍增管。
2018-08-20 09:25
当一个半导体二极管加上足够高的反向偏压时，在耗尽层内运动的载流子就可能因碰撞电离效应而获得雪崩倍增。
2018-08-20 09:44
雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管，其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。
2018-08-20 10:50
本文针对PIN雪崩光电二极管结构的特殊性,以载流子速率方程为基础,通过适当的假设和拟合。
2018-08-20 11:37
本文主要介绍了普通硅二极管和肖特基二极管的相同和区别以及快恢复二极管和肖特基二极管的区别，并附上了普通硅二极管，肖特基
2019-08-09 15:24
雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩一样增加载流子。
2018-08-20 09:05
半导体中的雪崩效应是引起pn结击穿的一种机制。加反向偏压的PN结，其空间电荷区内有很强的电场。
2018-08-20 10:04
