(SOT)-23，漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，你有空间受限的问题吗？”我问。他承认有，于是我让他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06
的非常宽的结温和存储温度范围.特征：•沟槽型Power MV MOSFET技术-60V•低RDS(ON)•低 GATE CHARGE•针对快速切换应用程序进行优化•VDS：-60V•ID (at VGS
2019-03-13 10:54
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30
东芝新一代功率MOSFET产品帮助设计者降低各种电源管理电路的损耗及缩小板子的空间，包含直流-直流转换器的high side 及low side开关，以及交流-直流设计中的二次侧同步整流。此技术也适合马达控制及锂电池电子设备中的保护模组。
2019-08-02 08:07
RT8560 1MHz，20mA满量程电流PWM到模拟调光控制的典型应用。 RT8560是一款60V 4通道LED驱动器，每个通道可提供30mA电流，15个LED（每个二极管3.6V）共
2019-10-17 08:45
通过将VCC1连接到LCD驱动器电源AVDD，RT8560宽范围VIN应用的典型应用。 RT8560是一款60V 4通道LED驱动器，每个通道可提供30mA电流，15个LED（每个二极管3.6V）共
2019-10-17 08:44
型号:HC080N06LS【06N06】丝印：HC606参数：60V 6A 类型：N沟道场效应管 沟槽型内阻72mR低结电容435pF 封装：SOT23-3低开启电压1
2021-03-08 16:42
测量高精度60V电量监测计
2019-09-18 08:56
产品概述：ZCC2459是一款内部集成有功率MOSFET管的降压型开关稳压器。以电流模式控制方式达到快速环路响应并提高环路的稳定性。宽范围输入电压（4.5 V至60V）提供0.5A电流的高效率输出
2019-10-24 09:26
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管`
2012-08-20 08:03
