半導體放電管是基於晶閘管原理和結構的一種兩端負阻器件。可以吸收突波，抑制過高電壓，達到保護易損組件的目的。該 器件是在矽單晶片兩面同時摻雜同種雜質而形成。簡單的結構如圖
2014-03-13 10:32
須滿足能解決寬頻雜訊的規格。什么是“UWB超宽带杂讯抑制器”？超寬帶的雜訊抑制器的核心鐵氧體核柱的材料為一種低導磁率
2015-01-08 12:16
須滿足能解決寬頻雜訊的規格。什么是“UWB超宽带杂讯抑制器”？超寬帶的雜訊抑制器的核心鐵氧體核柱的材料為一種低導磁率
2015-01-08 13:45
本帖最后由 华飞扬 于 2015-1-6 16:22 编辑 UWB超宽频解耦器（超宽带杂讯抑制器）介绍超寬帶的雜訊抑制器的核心鐵氧體核柱的材料為一種低導磁率
2015-01-06 16:15
FET的特性及应用电路電界效應半導體(FET: Field Effect Transistor，以下簡稱為FET)與電晶體同樣擁有古老的歷史，兩者最大差異是FET 的消
2009-09-24 15:40
公司簡介（附件为产品介绍资料）綠星電子在業界擁有豐富的電源與功率半導體相關經驗，我們做為半導體行業的先驅和代表不斷開拓的
2017-12-05 11:23
)﹕電容器於充電時。其負電荷經由陰極及電解液傳至化成膜的表面，因電解液的電阻值比金屬導體為高，故電容器之損失，可由電解液的電阻值來決定。
2011-08-09 21:36
對瞬變電壓的吸收功率(峰值)與瞬變電壓脈衝寬度間的關係。手冊給的只是特定脈寬下的吸收功率(峰值)，而實際線路中的脈衝寬度則變化莫測，事前要有估計。對寬脈衝應降額使用。
2013-12-03 13:08
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2013-01-06 17:41
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06
