电子发烧友

型号：<b class='flag-s-7'>集成电路</b>系统 品牌：

     不同的集成电路有不同的制造工艺和生产过程，有些集成电路对制造工艺和生产设备以及原材料等有较高的要求。而当前集成电路行业的竞争比较激烈，同时原材料和人工以及水电

2023-12-12 11:33 电子热友 企业号

型号：大规模<b class='flag-s-7'>集成电路</b><b class='flag-s-7'>芯片</b> 品牌：广电计量

服务范围大规模集成电路芯片检测项目（1）无损分析：X-Ray、SAT、OM 外观检查。（2）电特性/电性定位分析：IV 曲线量测、Photon Emission、OBIRCH

2024-03-14 16:12 广电计量 企业号

型号：CMPA0060002F1-AMP 品牌：

Cree 的 CMPA0060002F1-AMP 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 基于单片微波集成电路 (MMIC)。 GaN具有优越的与硅或砷化镓相比的特性，包括更高

2022-05-17 12:09 立年电子科技 企业号

型号：CMPA801B025D 品牌：

CMPA801B025 是一种基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移

2022-07-01 11:19 立年电子科技 企业号

型号：CMPA801B025P 品牌：

CMPA801B025 是一种基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移

2022-07-01 11:22 立年电子科技 企业号

型号：CMPA801B025F 品牌：

CMPA801B025 是一种基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移

2022-07-01 11:20 立年电子科技 企业号

型号：QPD0005M RF JFET<b class='flag-s-7'>晶体管</b> 品牌：

Qorvo QPD0005M RF JFET晶体管Qorvo QPD0005M RF JFET晶体管是单路径分立式GaN on SiC HEMT，采用塑料包覆成型DFN封装。该系列晶体管的

2024-02-26 23:27 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：QPD0007 GaN射频<b class='flag-s-7'>晶体管</b> 品牌：

，能够在+48V电压下提供20W的P3dB输出功率。QPD0007晶体管的工作频率范围为直流至5GHz，3.5GHz时的漏极效率为73%。典型应用包括WCDMA/

2024-02-26 19:46 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：CMPA0530002S 品牌：

CMPA0530002S 是一种基于封装的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。MMIC 功率放大器在输入端匹配 50 欧姆

2022-05-17 11:12 立年电子科技 企业号

型号：CMPA801B025F-AMP 品牌：

CMPA801B025 是一种基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移

2022-07-01 11:23 立年电子科技 企业号