本文首先介绍了带隙基准是什么，然后分析了带隙基准的原理。
2019-08-06 17:48
宽带隙半导体是一种具有宽带隙的半导体材料，其特性是具有较宽的能带隙，可以吸收和发射更多的光子，从而提高半导体器件的效率。它广泛应用于太阳能电池、激光器件、光电子器件等领域。
2023-02-16 15:07
又划分为长度各为7.8125ms 的1536个时隙（time slol），因此每个时元包含 98304 个时隙。
2022-10-28 09:24
铁氧体电感设计中如果磁芯尺寸选的不够大（Ae小），为了降低磁芯损耗/减小ΔB，需要把电感匝数加多，这时候磁芯气隙就会变大。处理过大的气隙，常用方法是气隙分段，或者用粉芯磁路来填充。当气
2023-10-28 11:30
带隙基准的一阶温度补偿如图1所示，双极型晶体管基极-发射极电压差ΔVBE具有正温度系数，而双极型晶体管基极-发射极电压VBE具有负温度系数，如果将两个电压进行相加，理论上就可以通过设计合适的参数实现
2023-12-15 15:52
讨论时隙主要是确定y的值。根据混合时隙的概念，时隙可以以DL 控制开头以UL 控制结尾。
2023-12-04 14:17
使用宽带隙半导体的技术可以满足当今行业所需的所有需求。顾名思义，它们具有更大的带隙，因此各种电子设备可以在高电压、高温和高频率下工作。碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） 是最近推出的宽带隙
2022-07-29 08:06
由于电磁带隙（electromagnetic band gap，简称 EBG）能够“调谐出”特定频率，所以许多应用中出现了它的身影。借助 COMSOL 软件和附加“RF 模块”，工程师可以对 EBG 的有效性进行分析。
2019-02-11 16:16
传统的带隙电压基准如图1所示，双极型晶体管基极-发射极电压差ΔVBE具有正温度系数，而双极型晶体管基极-发射极电压VBE具有负温度系数，如果将两个电压进行相加，理论上就可以通过设计合适的参数实现零温度系数电压，如图2。具体可以参考拉扎维模集的第12章的内容。
2023-12-15 15:47
带隙型稳压电路能够在很宽的温度范围内使得温度系数接近于0，以达到很好的稳压效果。在此，为了从数学上详细推导分析这类电路的工作原理，我准备对这个过程中的每一步都一一进行推导。由于整个过程基本是数学
2021-03-16 09:57
