IGBT及MOSFET隔离驱动为可靠驱动绝缘栅器件，目前已有很多成熟电路。当驱动信号与功率器件不需要隔离时，
2021-02-08 17:38
直接驱动功率开关管，因此，需要在MCU和功率开关之间增加隔离驱动器，起到强电侧和弱电侧隔离并增加驱动能力的作用，如图1所
2022-07-14 11:16
IR21814类似的驱动芯片直接驱动MOS管，该电路具有驱动简单，成本低，PCB占用面积小等优点，在我司产品中得到广泛的应用。但是，所采用的LLC谐振拓扑来说，驱动频率
2023-03-28 11:42
由于不间断电源的兴起，IGBT技术得以飞速发展。IGBT的特点是具有电流拖尾效应，因此在关断的瞬间对于抗干扰的性能要求非常严格，需要负压驱动进行辅助。
2018-09-13 15:41
MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs，因而在高频率的交替
2019-07-03 16:26
全桥逆变电路实现低频交流向高频交流的转换，从而降低变压器的体积，提高电源效率。IGBT由于其兼备场效应管易于驱动、控制简单、开关频率高的优势与BJT双极型器件低饱和压降、容量大的特点，被广泛应用
2018-06-15 15:50
目前，在电力电子装置中，在需要隔离电源的地方，均设置独立的包括原、副边电路的整套工作电源，电路复杂，效率低，体积大，成本高，可靠性低;有些电力电子装置使用带有电压泵的专用单电源驱动电路，可以省掉复杂
2014-03-31 10:40
无磁芯变压器是新一代的驱动技术，基于英飞凌领先的功率器件设计和应用的经验，具有高共模瞬变抗扰度、精密时序控制、精确的短路保护、高电压并可靠的输出推挽MOS等一系列特点，完美匹配功率器件的应用。
2022-04-18 17:36
严格来说，器件静电损伤也属于过电压应力损伤，静电型过电应力的特点是：电压较高，能力较小，瞬间电流较大，但持续的时间极短，与一般的过电应力相比，静电型损伤经常发生在器件运输、传送、安装等非加电过程，它对器件的损伤过程是不知不觉的，危害性很大。从静电对器件损伤后的失效模式来看，不仅有PN结劣化击穿、表面击穿等高压小电流型的失效模式，也有金属化、多晶硅烧毁等大电流失效模式。
2017-05-23 16:00
SiC功率器件在新能源汽车、光伏逆变和储能等领域凭借其卓越性能得到了广泛应用。
2024-03-21 15:21
