VDSR16M32XS64XX4C12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器包含6.777.216位。该SiP模块采用VDIC非常密集的SiP技术制造，可堆叠四层采用CMOS工艺（6晶体管
2022-06-08 14:18
VDSR16M32XS64XX4V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器包含16777216位。该SiP模块采用VDIC非常密集的SiP技术制造，可堆叠四个采用CMOS工艺（6晶体管
2022-06-08 14:20
VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的产品。静态随机存取存储器8.388.608位。它由两个4Mbit的银行组成。
2022-06-08 11:48
VDSR16M16XS54XX4V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器。该SIP模块采用VDIC非常密集的SIP技术制造，可堆叠四个4-Mbit SRAM组
2022-06-08 14:17
VDSR4M08XS44XX1C12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器使用4Mbit。该模块采用VDIC高密度SIP技术制造，由一个SRAM芯片堆叠而成采用C
2022-06-08 11:47
VDSR8M32XS64XX2V12是一种高速、高度集成的静态随机存取存储器，包含8.388.608位。它由两个4Mbit的银行组成。每个银行都有16位接口，并通过特定
2022-06-08 11:55
VDSR4M08XS44XX1V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器使用4Mbit。该模块采用VDIC高密度SIP技术制造，由一个SRAM芯片堆叠而成采用C
2022-06-08 14:33
VDSR20M40XS84XX6V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器20Mbit。该芯片采用VDIC高密度SIP技术制造，堆叠六个SRAM芯片，采用CMOS工艺（6晶体管
2022-06-08 14:22
VDSR32M322xS68XX8V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器包含33554332位。该SiP模块采用VDIC非常密集的SiP技术制造，可堆叠八个采用CMOS工艺（6晶体管
2022-06-08 14:24
VDSR32M322XS68XX8V12-II是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器包含33554332位。该SiP模块采用VDIC非常密集的SiP技术制造，可堆叠八个采用CMOS工艺（6
2022-06-08 14:27
