随着微电子技术的迅猛发展，SRAM存储器逐渐呈现出高集成度、快速及低功耗的发展趋势。在半导体存储器的发展中，静态存储器(SRAM)由于其...
2022-02-07 11:25
高云半导体FPGA 产品提供了丰富的块状静态随机存储器资源，简称块状静态存储器（B-SRAM）。B-SRAM 在器件内部以行的形式分布，每个B-SRAM 占用3 个CFU 的位置，B-SRAM
2020-12-09 15:31
一般计算机系统所使用的随机存取内存主要包括动态与静态随机存取内存两种，差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，...
2022-02-07 12:29
可以通过IP Core Generator 读入初始化文件设置。B-SRAM 的写操作和读操作均同步于时钟，B-SRAM 的输入端和输出端都有寄存器，输入端寄存器支持写入数据和控制信号同步于输入
2020-12-10 15:27
The AS4C32M32MD1 is a four bank mobile DDR DRAM organized as 4 banks x 8M x 32. It achieves high speed data transfer rates by employing a chip architecture that pre-fetches multiple bits and then synchronizes the output data to a system clock
2017-09-19 16:45
VDSR16M16XS54XX4V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器。该SIP模块采用VDIC非常密集的SIP技术制造，可堆叠四个4-Mbit SRAM组采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）。它被组织为四个256K x的独立块16位宽数据接口。
2022-06-08 14:17
VDSR8M32XS64XX2V12是一种高速、高度集成的静态随机存取存储器，包含8.388.608位。它由两个4Mbit的银行组成。每个银行都有16位接口，并通过特定的#CS。它特别适用于高可靠性、高性能和高密度系统应用程序，如固态质量记录器、服务
2022-06-08 11:55
VDSR16M16XS54XX4C12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取记忆力采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）实现了高速存取时间高速电路设计技术。它被组织为四个256Kx16bit的独立块宽数据接口。可以使用专用的#CSn单独选择每个块。
2022-06-08 11:57
VDSR8M16XS54XX2V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器。该SIP模块采用VDIC非常密集的SIP技术制造，可堆叠四个4-Mbit SRAM芯片采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）。它被组织为两个256K×的独立区块16位宽数据接口。
2022-06-08 11:53
VDMR1M08XS44XX1V35是一款1 x 1048576位高速存取时间、高密度磁阻器件随机存取存储器。该设备采用VDIC非常密集的SiP技术制造，可堆叠1-Mbit MRAM模具。它被组织为一个128K x 8bit宽的数据接口的独立模块。
2022-06-07 15:54
