中国功率半导体行业的发展历程是一部从技术引进到自主创新、从受制于人到逐步突破的筚路蓝缕奋斗史。从陈星弼院士的超结MOSFET专利到全国产碳化硅（SiC）技术的崛起，这一历程体现了中国在核心技术攻关
2025-03-27 07:57
RM6510T外推亚成微COOL MOS规格书*附件：RM6510T-(OTP)外置MOS副边反馈.pdf
2022-07-20 21:14
对于常规VDMOS 器件结构， Rdson 与BV 这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI 参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI 参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson 就大了。Rdson直接决定着MOS 单体的损耗大小。
2017-11-29 08:47
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2010-03-02 16:12
MOS的基本结构与工作原理
2022-02-15 15:16
MOS管结构图
2009-04-06 23:25
MOS管和IGBT是现代电子技术中两种非常重要的半导体器件，它们在电力电子、能量转换、汽车电子等多个领域有着广泛的应用。尽管它们都是半导体开关器件，但它们的结构特点、工作原理及应用场景存在显著差异
2024-06-09 14:24
本章首先介绍了MOS管的基本结构并推导了其I/V特性，并阐述MOS管的二级效应，如体效应、沟道长度调制效应和亚阈值传导等，之后介绍了MOS管的寄生电容，并推导其小信号模
2023-10-02 17:36
领域，这将对社会加速发展起着很大的推动作用。电子科技大学的陈星弼院士提出的超结功率器件更是把整个功率半导体提升到一个全新阶段，成为功率半导体史上的里程碑。
2023-11-10 10:15
