MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的阈值电压（Vt）是其工作性能中的一个关键参数，它决定了晶体管从关闭状态过渡到开启状态所需的栅极电压大小。MOSFET的阈值电压受到多种因素的影响，这些因素包括材料特性、结
2024-05-30 16:41
74HC14是施密特触发器。正向阈值指输入端电压由低变高达到输出翻转时的值。反向阈值指输入电压由高到低变化输出翻转时的输入电压
2018-10-24 09:30
关于 MOSFET 的 W 和 L 对其阈值电压 Vth 的影响，实际在考虑工艺相关因素后都是比较复杂，但是也可以有一些简化的分析，这里主要还是分析当晶体管处在窄沟道和短沟道情况下，MOSFET 耗尽区的电荷的变化，从而分析其对晶体管的阈值电压的作用。
2019-06-18 17:19
如果你能看到下面的方程式-我相信你可以很容易地弄清楚阈值电压对电池延迟的影响。(注：以下电阻公式是关于NMOS的。您也可以为PMOS导出类似的公式(只需将下标“n”替换为“p”)。
2023-09-07 10:03
在芯片制造的纳米世界里，阈值电压(Threshold Voltage, Vth)如同人体的“血压值”——微小偏差即可导致系统性崩溃。作为晶圆接受测试(WAT)的核心指标之一，Vth直接决定晶体管
2025-05-21 14:10
Vt指的是MOS管的阈值电压（threshold voltage）。具体定义（以下图NMOS为例）：当栅源电压（Vgs）由0逐渐增大，直到MOS管沟道形成反型层（图中的三角形）所需要的电压为
2023-03-10 17:43
本文开始介绍了单限比较器的电路和单限比较器的理论分析及计算，其次介绍了单限电压比较器的工作原理，最后介绍了单限比较器阈值的电压计算。
2018-02-26 15:58
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。关于计算，栅电压(V)GATE_max) 总是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模块将总是能够在关闭状态下开关MOS(如果MOS没有损坏)。R33/R86的比例已经选得很好。
2018-09-23 11:17
关于比较器滞回的讨论需要从“滞回”的定义开始， 与许多其它技术术语一样， “滞回”源于希腊语， 含义是“延迟”或“滞后”， 或阻碍前一状态的变化。工程中，常用滞回描述非对称。
2018-02-24 17:54
施密特触发器（Schmitt Trigger）是一种特殊的门电路，也被称为迟滞比较器或滞回比较器。它具有两个阈值电压，分别对应于输入信号的正向递增和负向递减变化方向。这两个阈值电压称为正向阈值电压和负向
2024-02-23 17:14
