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型号：WNM3008 品牌：

WNM3008型号简介       WNM3008是WILLSEMI/OmniVision推出的一款小巧而强大的 N 沟道增强型 MOSFET，拥有许多令人印象深刻的特性。它采用先进的沟槽技术和高密度单元设计，使其拥有极低的导通电阻，这意味着它可以高效地驱动大电流负载，同时保持较低的功耗。 型号规格品牌：WI

2024-07-30 16:41 立年电子科技 企业号

型号：RU40<b class='flag-s-7'>L10L</b>-VB 品牌：微碧

承受能力和-65A的漏极电流承受能力。在栅极-源极电压为10V时，其导通电阻(RDS(ON))为10mΩ，阈值电压(Vth)为-1.6V。**详细参数说明：**- 电

2024-06-14 14:33 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AUF2805<b class='flag-s-7'>L</b>-VB 品牌：微碧

) 和高达210A的连续漏电流 (ID)。其阈值电压为3.5V，导通电阻在VGS = 10V时仅为2.8mΩ。AUF2805L-VB 的设计旨在处理大电流负载，并

2025-01-02 15:24 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：ACPL-<b class='flag-s-7'>W70L</b>-560E 品牌：

的基本构建块包含高速 LED 和 CMOS 检测芯片，每个检测器集成光二极管、高速跨阻放大器和带有输出驱动的电压比较器。ACPL-W70L-000E 和 ACPL-K73

2025-01-13 15:51 深圳芯领航科技有限公司 企业号

型号：2SK1315<b class='flag-s-7'>L</b>-VB 品牌：微碧

）、3.5V的阈值电压（Vth），采用SJ_Multi-EPI技术，适用于中功率应用。### 2SK1315L-VB 详细参数说明- **型号：2SK1315L-VB*

2024-07-16 15:56 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：2SK1151<b class='flag-s-7'>L</b>-VB 品牌：微碧

**VGS（栅源电压）：** ±30V- **Vth（阈值电压）：** 3.5V- **RDS(ON)（导通电阻）：** 4300mΩ@VGS=10V- **I

2024-07-16 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：06CN10<b class='flag-s-7'>L</b>-VB 品牌：微碧

Trench技术制造，适用于各种领域和模块的电路设计。其主要特点包括100V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS）、3V的阈值电压（Vth）、5mΩ

2024-07-03 13:52 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：05CN10<b class='flag-s-7'>L</b>-VB 品牌：微碧

VBsemi的05CN10L-VB是一款TO220封装的单N沟道MOSFET。它具有100V的漏极-源极电压（VDS）、20V（±V）的门极-源极电压（VGS）、3V的阈值电压

2024-07-02 17:21 微碧半导体VBsemi 企业号