我看mosfet的技术手册，有两个转移特性曲线，但是不知道这两个的区别在哪，为什么不一样？
2015-10-23 20:51
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 编辑 在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32
MOSFET技术的过程中，以往常见以QG和QGD(即RDS(on)×QG和RDS(on)×QGD)为基础的因子(FOM)已无法满足需求，若坚持采用固定因子，将可能导致技术选择无法达成优化。通过此次分析的启示
2019-07-04 06:22
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2012-05-31 16:49
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2009-11-28 13:51
上海闵行区某电子测量公司高薪急聘电子工程师 要求：熟悉模拟电路设计，精通运放电路。有过项目经验者犹佳。请有意者发简历到hxj1005@hotmail.com 或者直接加QQ70035130 说明招聘问询。QQ不一定常在。一经录用，待遇从优。谢谢。
2012-08-14 19:12
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2012-05-31 16:54
一样，商用SiC功率器件的发展走过了一条喧嚣的道路。本文旨在将SiC MOSFET的发展置于背景中，并且 - 以及器件技术进步的简要历史 - 展示其技术优势及其未来的商业前景。 碳化硅或碳化硅的历史
2023-02-27 13:48
本帖最后由 24不可说 于 2018-10-10 08:23 编辑 MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同. 1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上
2017-04-15 15:48
国家正规刊物联合征稿——为您评定职称、提高就业优势提供优质平台 可推荐在科技、经济、医学、政工及综合类期刊上发表论文，推荐的期刊均为国内外公开发行的正规期刊
2008-06-25 19:16
