闪速存储器具有结构简单、控制灵活、编程可靠、擦除快捷的优点，而且集成度可以做得很高，因此获得了较广泛的应用。本文详细介绍Samsung 公司生产的64M × 8 位
2009-04-15 11:12
与释放来进行的。例如，一般的NOR闪速存储器在写人时提高控制栅的电压，向浮置栅注人电荷（图 2）。而数据的擦除可以通过两种方法进行。一种方法是通过给源极加上＋12V左右
2018-04-10 10:52
TC58V64的内部结构如图所示。闪速存储器的容量增大，则块数也将增加，但内部的基本结构没有改变。NAND 闪速
2018-04-11 10:11
1. TC58V64 的引脚配置TC58V64的引脚配置如图所示。在图中未看到地址引脚，这是因为利用数据输人输出引脚（I／O 1 ～I／O 8 ），能够以时分方式赋予数据。NAND闪速
2018-04-11 10:10
闪速存储器AT29C040与单片机的接口设计应用
2009-10-10 11:28
作者实践,本文将以Philips公司的USB控制器PDIUSBD12和Sumsung公司的闪存(Flash)K9F5608U0A为例,介绍开发大容量存储设备的方法。1USB大容量
2011-04-27 10:30
K9F1G08U0CPCB0芯片资料下载内容包括：K9F1G08U0C-PCB0引脚功能K9F1G08U0C-PCB0内部方框图
2021-03-24 06:56
Cyclone® IV 器件具有嵌入式存储器结构，满足了 Altera® Cyclone IV 器件设计对片上存储器的需求。嵌入式存储器结构由一列列 M9K
2017-11-13 12:09
：VISHAY集成电路 (IC）MT46V16M16CY-5B-K TR存储器资料PDF/SGS在线询价详细描述RoHS：[/td]标准包装：1,000包装：带卷 (TR)类别：集成电路 (IC)原厂类别
2012-05-15 21:16
STM32 F7 概述• STM32总线架构和存储器映射• 总线架构• 存储器映射• Cache• STM32F7性能• Boot模式• 片上闪存(Flash)•
2023-09-08 06:53
