闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。
2019-06-11 17:19
锁存霍尔效应传感器IC（通常称为“锁存器”）是数字输出霍尔效应开关，用于锁存输出状态。
2021-05-04 09:01
在 SEL 测试期间，设备外壳温度设置为 125oC和电源电流被监控，以观察是否有任何闩锁。测试运行到80 MeV-cm等能量水平2/毫克，流度为107离子/厘米2.目标是确定温度和电源电压最坏
2023-06-30 11:49
高压 （HV） 电源模拟集成电路 （IC） 几乎用于每个电子系统，包括电池电源转换、音频、汽车、工业、医疗和 LED 驱动器。与使用数字低压IC设计相比，确保此类IC的设计符合闩锁资格要求涉及一种
2022-12-23 14:16
在上一篇文章中讨论，高速 ADC 的单粒子效应 (SEE)：单粒子闩锁 (SEL)，我们通过观察闩锁引起的 SEL 开始讨论高速 ADC 的 SEE通过辐射。正如我们所
2023-05-08 11:52
电源域隔离是电压监控ADC系统的一个重要设计要点，不合理的电源域隔离可能导致芯片关不掉，芯片发生闩锁，甚至芯
2019-05-10 17:18
闩锁（Lanch-up）效应，一般我们也可以称之为擎住效应，是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象，当然，闩锁效应更多的是决定于IGBT芯片本身的构造。实际工作中我们可能很少听到一种失效率，闩
2021-02-09 17:05
在具有多个电源电压的系统中，运算放大器功率 电源必须在任何输入的同时或之前建立 应用信号。如果没有发生这种情况，过压和闩锁 条件可能会发生。
2023-01-05 15:18
将多个数字和模拟功能组合到单个芯片中的高度集成的系统芯片通常需要多个电源。电源排序不当会导致器件闩锁、器件启动不正确或长期可靠性下降。MAX6819/MAX6820为两个或多个电源的排序提供了一种简单、可靠、紧凑的方式。
2023-02-08 10:56
NSG4427是低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性。输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。并联两通道使用可以实现驱动能力增强。
2025-05-30 14:23
