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  • 浅谈IGBT的闩锁效应

    闩锁(Lanch-up)效应,一般我们也可以称之为擎住效应,是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象,当然,闩锁效应更多的是决定于IGBT芯片本身的构造。实际工作中我们可能很少听到一种失效率,闩锁失效,今天

    2023-04-06 17:32

  • 单片机发生闩锁效应的因素,如何防止发生单片机闩锁效应

    单片机闩锁效应指的是单片机内部金属配线发生熔断的现象,那么导致单片机闩锁效应的因素是什么?单片机开发工程师表示,已知的导致单片机发生闩锁效应的因素有很多个。现总结如下:

    2023-07-10 11:21

  • 闩锁效应的工作原理

    LU是 Latch Up的简写,即闩锁效应,也叫可控硅效应,表征芯片被触发低阻抗通路后、电源VDD到GND之间能承受的最大电流。非车规芯片的规格书中通常都不会提供这个参数,而车规芯片的规格书中通常都会明确标注出来这个参数。这也是一个极为重要却极容易被电子工程师忽略

    2025-03-24 17:02

  • IGBT中的闩锁效应到底是什么

    闩锁(Lanch-up)效应,一般我们也可以称之为擎住效应,是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象,当然,闩锁效应更多的是决定于IGBT芯片本身的构造。实际工作中我们可能很少听到一种失效率,闩锁失效,今天

    2021-02-09 17:05

  • 芯片失效机理之闩锁效应

    闩锁效应(Latch-up)是‌CMOS工艺中一种寄生效应,通常发生在CMOS电路中,当输入电流过大时,内部电流急剧增加,可能导致电路失效甚至烧毁芯片,造成芯片不可逆的损伤。

    2024-12-27 10:11

  • CMOS的闩锁效应:Latch up的原理分析

    本篇主要针对CMOS电平,详细介绍一下CMOS的闩锁效应。 1、Latch up 闩锁效应是指CMOS电路中固有的寄生可控硅结构(双极晶体管)被触发导通,在电源和地之间存在一个低阻抗大电流通路,导致

    2020-12-23 16:06

  • 闩锁效应(Latch-up)原理及其抑制方法解析

    闩锁效应:实际上是由于CMOS电路中基极和集电极相互连接的两个BJT管子(下图中,侧面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的

    2023-12-01 14:10

  • 探究什么是单片机的闩锁效应

    什么是“闩锁效应”?这个词儿对我们来讲可能有点陌生。从构造上来看,单片机由大量的PN结组成。有一个由四重结构“PNPN”组成的部分,其中连接了两个PN结。PNPN的结构是用作功率开关元件的“晶闸管

    2021-11-18 10:57

  • 如何正确选用SCR架构TVS以避免闩锁效应

    AMAZINGIC晶焱科技如何正确选用SCR架构TVS以避免闩锁效应

    2024-08-12 18:31

  • 芯片设计都不可避免的考虑要素—闩锁效应latch up

    闩锁效应,latch up,是个非常重要的问题。现在的芯片设计都不可避免的要考虑它。我今天就简单地梳理一下LUP的一些问题。

    2023-12-01 17:11