### 产品简介BSD235C-VB是一款双管N+P沟道MOSFET，封装形式为SC70-6。该MOSFET支持±20V的漏极-源极耐压，适用于双极性电源设计。具有1.0V的N沟道门槛电压
2025-01-09 11:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BSL214N-VB 是一款双 N-Channel MOSFET，封装为 SOT23-6。它具有较低的导通电阻和宽广的门槛电压范围，适合用于需要双 MOSFET 配置的应用，如电源
2025-01-09 11:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BSH111-VB 是一款 N-Channel MOSFET，封装为 SOT23-3。它设计用于中等电压和电流应用，具有较高的门槛电压和适中的导通电阻，适合用于各种小型开关电路和低
2025-01-09 11:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BSH301-VB是一款高性能共源极配置N沟道MOSFET，封装形式为TSSOP8。该MOSFET支持20V的漏极-源极耐压和20V的栅极-源极耐压，具备0.5~1.5V的门槛电压
2025-01-09 11:29 微碧半导体VBsemi 企业号
极低的导通电阻和高电流处理能力，专为高效能的电源管理和开关应用设计。BSC0901NS-VB支持高达30V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS），其门槛
2025-01-08 17:03 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**AUIRFU3607-VB** 是一款高性能单N通道MOSFET，封装为TO251。它具有80V的最大漏极源极电压（VDS），以及±20V的最大门源极电压（VGS）。门槛电压
2025-01-06 11:44 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BSS214NW-VB是一款高效单管N沟道MOSFET，封装形式为SC70-3。该MOSFET支持20V的漏极-源极耐压和±12V的栅极-源极耐压，门槛电压范围为0.5~1.5V
2025-01-10 14:30 微碧半导体VBsemi 企业号
