数明半导体最新推出的SiLM59xx和SiLM58xx系列是带有主动保护和高CMTI的单通道隔离门极驱动芯片，拥有强劲的驱动能力、完善的保护功能、超高的CMTI能力。其
2023-09-13 10:29
IGBT是一个受门极电压控制开关的器件，只有门极电压超过阈值才能开通。工作时常被看成一个高速开关，在实际使用中会产生很高的电压变化dv/dt和电流变化di/dt。
2023-02-07 16:17
HCPL316J 可以驱动 150 A/1200 V 的 IGBT ，光耦隔离， COMS/TTL 电平兼容，过流软关断，最大开关速度 500 ns ，工作电压 15 ～ 30 V ，欠压保护。输出部分为三重复合达林顿管，集电极开路输出。采用标准 SOL-16 表面贴装。
2017-05-23 17:34
外驱动同步整流正激变换器的电路如图5 所示，它的主要波形如图6 所示。在电路中，晶体管Q2 和Q3 被从主开关管门极驱动获得的信号所
2018-06-21 07:28
优化驱动特性就是以理想的基极驱动电流波形去控制器件的开关过程，保证较高的开关速度，减少开关损耗。优化的基极驱动电流波形与GTO门
2019-09-02 09:14
用于控制外部MOSFET的诸如 LT8672 的门极驱动等器件足够强大，能处理高达 100 kHz 的纹波频率，从而最大限度减小了反向电流。
2018-10-22 16:16
米勒效应在单电源门极驱动过程中非常显著。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt
2019-02-04 11:17
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些
2019-11-18 08:38
当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极
2021-03-15 15:01
