的512Kbit SPI EEPROM,采用SOIC-8封装,能够满足多种应用需求。本文将从客户的痛点出发,详细介绍AT25512N-SH-T的产品详情、技术参数及其应
2024-11-05 10:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
使用,双排离子针设计,消电速度更快,标配5米橡胶高压电缆线。在某些条件下,P-Sh-N-Ex棒工作距离能够中和200毫米内的材料表面静电,适合安装于喷涂,涂布等需防
2021-12-10 15:36 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
简介Simco-Ion P-SH-N离子棒是EP-Sh-N的一个升级版本,具有较高的的除静电效能,和超远的作用距离,配合Simco Ion专用的空气管和风刀系统,能够起到高效的除静电除尘作用和增大
2021-12-10 15:25 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
荷兰P-Sh-N 静电消除器 离子棒是EP-Sh-N的一个升级版本,具有较高的的除静电效能,和超远的作用距离,配合Simco Ion专用的空气管和风刀系统,能够起到高效的除静电除尘作用和增大作用距离
2024-12-27 15:28 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
如需了解价格货期等具体信息,欢迎在首页找到联系方式链接我。不要留言,留言会被吞,收不到留言。 HMA81GU7DJR8N-XNT0 产品概述 HMA81GU7DJR8N
2025-02-10 20:14 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
HMA81GU7DJR8N-XN、HMA81GU7DJR8N-XNT0以及MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是三款高性能的8GB DDR4-3200MHz PC4-25600 ECC
2025-02-14 06:57 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
## 产品简介IPD800N06NG-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。作为一款高性能的功率器件,它具有60V的最大耐压、45A的最大电流以及低导通电阻,适用于各种需要高电压和高电流驱动
2024-06-03 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
一、产品简介:IPD230N06NG-VB是一款N沟道场效应管,由品牌VBsemi生产。该器件具有60V的漏极-源极电压额定值,能够承受最大45A的漏极电流。其导通状态下的导通电阻(RDS
2024-06-03 17:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4969NG-VB MOSFET 产品简介4969NG-VB 是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用Trench技术,封装为TO2
2024-11-12 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号