村田高频电感LQG15HN33NG02D_0402 33nH 300mA详细参数：L尺寸1.0 ±0.05mmW尺寸0.5 ±0.05mmT尺寸0.5 ±0.05mm尺寸代码 in inch (mm
2024-09-28 14:55 谷京科技代理村田TDK贴片电容 企业号
村田贴片电感LQG15HN39NG02D_0402 39nH 250mA详细参数：L尺寸1.0 ±0.05mmW尺寸0.5 ±0.05mmT尺寸0.5 ±0.05mm尺寸代码 in inch (mm
2024-09-28 14:13 谷京科技代理村田TDK贴片电容 企业号
说明- **型号：5865NG-VB**- **封装类型：TO252**- **配置：单N沟道**- **漏源电压 (VDS)：60V**- **栅源电压 (VGS)：
2024-11-14 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号
合。### 5805NG-VB 详细参数说明- **封装类型**：TO252- **器件配置**：单 N 沟道- **漏极-源极电压 (VDS)**：40V- **栅极-源
2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5802NG-VB 产品简介5802NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压（
2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5407NG-VB 产品简介5407NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO252 封装。它具有较低的漏极-源极电
2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
说明- **型号**: 5803NG-VB- **封装**: TO252- **配置**: 单 N 沟道- **最大漏源电压 (VDS)**: 40V- **最大栅源电
2024-11-14 14:19 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4854NG-VB MOSFET产品简介4854NG-VB是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi公司生产，采用TO252封装。它具有极低的导通电阻、高漏极电流承载能力和优越的性能特征
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4865NG-VB 产品简介4865NG-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装。它设计用于高功率电子设备中，具有优异的功率开关特性和低导通电阻。采用先进的沟槽（Trench
2024-11-12 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
