h,i,j,k,l,m,n的ascii码值
2009-06-28 11:47
雙極電晶體模型及電路 零件電晶體 2N3904 一枚;電阻 4.7M、1M、470
2008-10-10 11:50
N9H30K41I系列采用ARM926EJ-S核心,执行速度高达300 MHz,堆叠16 MB DDR-II记忆体於同一封裝,提供128-pin LQFP封装,大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰
2020-02-06 09:02
N9H20K51N系列采用ARM926EJ-S核心,执行速度高达200 MHz,堆叠32 MB SDRAM记忆体於同一封裝,提供128-pin,大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富
2020-02-06 09:13
N9H20K31N系列采用ARM926EJ-S核心,执行速度高达200 MHz,堆叠8 MB SDRAM记忆体於同一封裝,提供128-pin,大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边
2020-02-06 09:11
N9H26K51N系列采用ARM926EJ-S核心,执行速度高达264 MHz,堆叠或32 MB SDRAM记忆体于同一封装,提供128-pin,大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富
2020-02-06 09:12
N9H20K11N系列采用ARM926EJ-S核心,执行速度高达200 MHz,堆叠2 MB SDRAM记忆体於同一封裝,提供128-pin,大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 (EMI)。丰富的周边
2020-02-06 09:20
STx6N62K3/STx3N62K3利用SuperMESH3技术降低导通电阻,提高节能灯镇流器等照明应用的工作能效 功率半导体世界领先厂商意法半导体进一
2008-09-25 08:03
7135应用电路 圖一之架構中使用觸碰式開關(Touch SW)以及常開/常
2009-07-12 23:58