横向排列，并被限制在氮化镓内部，但靠近表面在垂直器件中，电场均匀地分布在GaN内。因此，垂直器件可以在不增加芯片尺寸的情况下提高击穿电压。在这两种几何结构中实现GaN的全部潜力的一个主要障碍是器件工作温度。在工作条件
2024-06-04 10:24
的情况下实现高精度的检测呢？目前有两种方法，一种是小样本学习，另一种是用GAN。本文将介绍一种GAN用于无缺陷样本产品表面缺陷检测。
2023-06-26 09:49
E-GaN电源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型号，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐压700V，推荐功率60W，采用的是ESOP-7封装。
2025-05-26 11:43
作者根据Wulff理论并与表面能数据制了每个NCM的晶粒形貌（图4）。在该理论中，较小的表面能值往往对应较大的晶粒暴露表面积。在所有Wulff形貌中，只有［001］、［
2022-08-30 16:01
半导体器件的高集成化，硅晶圆表面的高清洁度化成为极其重要的课题。在本文中，关于硅晶圆表面的金属及粒子的附着行为，对电化学的、胶体化学的解析结果进行解说，并对近年来提出的清洗方法进行介绍。
2022-04-18 16:33
在GaN快充问世的前两年，许多人还处在观望状态，然而再经过两年之后，GaN在快充上的应用已经愈发成熟，并席卷快充市场。GaN等第三代半导体的出现，为各相关领域带来了突破性的进展。伴随其在5
2024-08-14 18:05
频率选择表面 （FSS）是二维周期阵列结构，它由周期性排列的金属贴片单元或在金属屏上周期性排列的孔径单元构成。这种表面可以在单元谐振频率附近呈现全反射（贴片型）或全传输特性（孔径型）， 分别称为带阻或带通FSS。
2018-05-02 11:52
绝缘子通常是用瓷材料制成的，所以又称为瓷瓶。绝缘子结构紧密，表面涂有釉质，以提高电气绝缘性能。不同电压等级的绝缘子具有不同的有效高度和不同的
2023-09-21 16:30
通道信息传输提供了新的设计思路。阵列天线共形可以很容易地集成在飞机、导弹、卫星等载体平台的表面，而不会破坏载体的形状、结构和空气动力学。报告主要研究共形可重构超表面的远场波束扫描及多波束产生。
2023-04-10 14:15
