BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A
2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
可以通过提升逆变器开关频率，以减小输出电流的总谐波畸变率，从而减小压缩机的谐波损耗，提升压缩机的效率，进一步提高空调热泵系统的效率，所以碳化硅MOSFET更有利于电
2023-08-09 10:12 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
器件在使用过程中最常见的失效模式之一就是电浪涌引起的电过载（EOS)损伤或烧毁。下面简聊下集成电路电浪涌的产生和预防。1. 什么是电浪涌（
2022-07-29 10:33 陕西航晶微电子有限公司 企业号
简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
实验名称：高压放大器基于绝缘电阻的表面电痕腐蚀程度分析中的应用实验目的：根据电痕试验标准对乙丙橡胶的耐电痕性能进行评估，提取电痕化故障特征量，研究
2022-11-28 15:15 Aigtek安泰电子 企业号
