第四部份似乎很相似，这样做可行么？问题分析：系统短路的时候，功率MOSFET相当于工作在放大的线性区，降低驱动电压，可以降低跨导限制的最大电流，从而降低系统的短路电流，从短路保护的角度而言，确实有一定
2016-12-21 11:39
` 本帖最后由 zhihuizhou 于 2012-2-8 09:04 编辑 2月9日，嵌入式工程师线下聚会在新车间活动时间2012年2月9日。周四，下午6点半活动地点，长宁区安化路76号301
2012-02-07 21:37
电压。导通电阻表示功率MOSFET完全开后的电阻，和上述的线性区工作状态并不相同。功率MOSFET的内部二极管导通的反向工作状态，因为其S、D极的电压为二极管的压降，因此并没有线性
2017-04-06 14:57
1、功率MOSFET安全工作区SOA曲线功率MOSFET数据表中SOA曲线是正向偏置的SOA曲线，即FBSOA曲线，那么这个安全工作区SOA曲线是如何定义的呢？这个曲线
2016-10-31 13:39
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2017-07-08 10:31
MOSFET基本上已经导通。图1：AOT460栅极电荷特性对于上述的过程，理解难点在于：(1) 为什么在米勒平台区，VGS的电压恒定？(2) 驱动电路仍然对栅极提供驱动电流、仍然对栅极电容充电，为什么栅极
2016-11-29 14:36
运动。MOSFET的控制栅压作用于横跨绝缘层的沟道区，而不像结型场效应管那样横跨PN结。栅极用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)来绝缘。MOSFET可以是P沟道也可以是N沟道，其工作可以是耗尽型或者增强型
2012-12-10 21:37
，并不会出现N区电子不够的情况，因为b电极（基极）会提供源源不断的电子以保证上述过程能够持续进行。这部分的理解对后面了解IGBT与BJT的关系有很大帮助。MOSFET：金属-氧化物-半导体场效应晶体管
2023-02-10 15:33
减小RDS(on)的值，就需要找到一种对漂移区进行重掺杂的方法，并大幅减小epi电阻。图2：平面式MOSFET的电阻性元件通常，高压的功率MOSFET采用平面型结构，其中，厚的低掺杂的N-的外延层，即
2018-10-17 16:43
运动。MOSFET的控制栅压作用于横跨绝缘层的沟道区，而不像结型场效应管那样横跨PN结。栅极用二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)来绝缘。MOSFET可以是P沟道也可以是N沟道，其工作可以是耗尽型或者增强型
2012-01-06 22:55
