电压。导通电阻表示功率MOSFET完全开后的电阻,和上述的线性区工作状态并不相同。功率MOSFET的内部二极管导通的反向
2017-04-06 14:57
1、功率MOSFET安全工作区SOA曲线功率MOSFET数据表中SOA曲线是正向偏置的SOA曲线,即FBSOA曲线,那么
2016-10-31 13:39
第四部份似乎很相似,这样做可行么?问题分析:系统短路的时候,功率MOSFET相当于工作在放大的线性区,降低驱动电压,可以降低跨导限制的最大电流,从而降低系统的短路电流,从短路保护的角度而言,确实有一定
2016-12-21 11:39
型区。在功率MOSFET的内部,由许多这样的单元,也称“晶胞”,并联而成。硅片的面积越大,所能加工的单元越多,器件的导通电阻越小,能够通过的电流就越大;同样,在单位的面积的硅片上,能够加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58
MOSFET工作也可以工作在饱和区,即放大区恒流状态,此时,电流受到沟道内电子数量的限制,改变漏极电压不能增加流通电流。功率MOSFET从放大区进入稳态工作可变电阻
2016-08-15 14:31
` 本帖最后由 zhihuizhou 于 2012-2-8 09:04 编辑 2月9日,嵌入式工程师线下聚会在新车间活动时间2012年2月9日。周四,下午6点半活动地点,长宁区安化路76号301
2012-02-07 21:37
,μn为反型层中电子的迁移率,COX为氧化物介电常数与氧化物厚度比值,W和L分别为沟道宽度和长度。前面多次讲到功率MOSFET输出特征,三极管有三个工作区:截止区、放大
2016-11-29 14:36
完全开通,只有导通电阻产生的导通损耗,没有开关损耗。t1-t2、t2-t3二个阶段,电流和电压产生重叠交越区,因此产生开关损耗。同时,t1-t2和t2-t3二个阶段工作于线性区,因此功率MOSFET
2017-02-24 15:05
`功率半导体的核心是PN结,当N型和P型半导体结合后,在结合面处的两侧形成空间电荷区,也称为耗尽层,当PN结两端的电压变化的时候,PN结的空间电荷区的电荷也发生改变;另外,N区
2016-12-23 14:34
使用功率 MOSFET 也有两年多时间了,这方面的技术文章看了不少,但实际应用选型方面的文章不是很多。在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率 M
2019-11-17 08:00