参数表节选：的技术参数 OMD30M-R2000-B23-V1V1D-1L产品阐述 R2000 UHD，二维码 LiDAR 传感器，适合精确及高度动态定位，物体测量范围达
2022-10-20 13:10 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
参数表节选：的技术参数 OMD60M-R2000-B23-V1V1D-1L产品阐述 R2000 UHD，二维码 LiDAR 传感器，适合精确及高度动态定位，物体测量范围达
2022-10-26 13:23 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
参数表节选：的技术参数 OBR25M-R200-2EP-IO-V1-L产品阐述 激光反射板型光电传感器通用规格有效检测距离0 ... 25 m反射
2022-11-15 09:37 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
L1可级联，信号限制器L1 信号限制器采用分立式混合设计，采用薄膜制造工艺以实现精确的性能和高可靠性。此设计使用肖特基桥式四极管和反并联二极管，可在宽带频率范围内提供一致
2023-04-19 16:54 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
型号：RU1HE12L-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi参数：- 封装类型：TO252- 沟道类型：N—Channel- 最大漏电压（Vds）：100V- 最大漏极电流（Id）：18A-
2023-12-29 15:59 微碧半导体VBsemi 企业号
dB。标签：表面贴装。 产品详情零件号1M710S制造商迅达科技描述3.3 至 3.7 GHz、10.5 dB 定向耦合器一般参数应用领域L
2023-08-16 09:53 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
型号: RU30L30M-VB丝印: VBQF2309品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: P—Channel- 额定电压: -30V- 额定电流: -45A- 导通电阻 (RDS
2024-02-03 10:33 微碧半导体VBsemi 企业号
型号 TJ30S06M3L丝印 VBE2625品牌 VBsemi参数 频道类型 P沟道 额定电压 60V 额定电流 50A RDS(ON) 20mΩ @ 10V，25
2023-11-03 15:00 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号：** 3N80L-TF1-T-VB **封装：** TO220F **配置：** 单一N沟道MOSFET **主要参数：**- 漏源电压
2024-11-07 16:42 微碧半导体VBsemi 企业号
L1 可级联，信号限制器L1 信号限制器采用分立式混合设计，采用薄膜制造工艺以实现精确的性能和高可靠性。此设计使用肖特基桥式四极管和反并联二极管，可在宽带频率范围内提供一致的限制电平
2023-02-02 13:33 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
