：AWR1x和IWR1x。全新毫米波传感器产品组合中的5款器件都具有小于4厘米的距离分辨率，距离精度低至小于50微米，范围达到300米。同时，功耗和电路板面积相应减少了50%。且看单芯片毫米波传感器如何抛弃锗硅工艺，步入CM
2019-07-30 07:03
许多不同类型的二极管可供选择。大多数早期的二极管都是由锗单晶制成的。后来，随着硅材料的解决和制造工艺，硅管得到了开发和推广。以下是区分硅（Si）二极管和
2023-02-07 15:59
本文介绍的宽动态范围硅锗直接调制器HMC497LP4 及其应用电路设计方法能帮助工程师设计出满足多频段应用的宽动态范围直接调制器。
2021-04-21 06:11
锗化硅技术(Silicon germanium)从20世纪80年代问世以来，是一种高于普通硅器件的高频半导体材料，应用领域非常广泛，尤其在新一代移动设备中，是良好的高功率放大器，例如：下变频
2019-05-28 06:06
1、硅三极管导通电压是0.7V，锗三极管导通电压0.2-0.3V，请问什么型号的锗三极管可以代替硅三极管2N3096，实现放大？
2019-02-25 16:02
硅技术的迅猛发展使工程师们能够设计和创建出新型电路，这些电路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(异质结双极晶体管)和PHEMT技术才能达到，电路的核心就是锗化硅(SiGe)工艺
2019-07-30 07:56
恩智浦半导体（NXP Semiconductors），近日推出业界领先的QUBIC4 BiCMOS硅技术，巩固了其在射频领域的领导地位，实现在高频率上提供更优的性能和更高集成度的同时，为客户带来成本
2019-07-12 08:03
用的CMOS工艺，具有集成度高、功耗小、速度快、成本低等特点，最近几年在宽动态、低照度方面发展迅速。CMOS即互补性金属氧化物半导体，主要是利用硅和锗两种元素所做成的半
2016-11-10 10:04
; 10-13mho/m)之间。半导体材料要么是单晶体，要么是化合物。晶体半导体的例子:Silicon (Si)硅(Si)Germanium (Ge) 锗(锗)化合物半导体的例子:Gallium
2022-04-04 10:48
半导体是在单晶硅（或锗）中参入微量的三价元素，如：硼、铟、镓或铝等；N型半导体是在单晶硅（或锗）中参入微量的五价元素，如：磷、锑、砷等。P型半导体与N型半导体，在材料成
2012-05-22 09:38
