硅技术的迅猛发展使工程师们能够设计和创建出新型电路，这些电路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(异质结双极晶体管)和PHEMT技术才能达到，电路的核心就是锗化硅(SiGe)工艺
2019-07-30 07:56
恩智浦半导体（NXP Semiconductors），近日推出业界领先的QUBIC4 BiCMOS硅技术，巩固了其在射频领域的领导地位，实现在高频率上提供更优的性能和更高集成度的同时，为客户带来成本
2019-07-12 08:03
锗化硅技术(Silicon germanium)从20世纪80年代问世以来，是一种高于普通硅器件的高频半导体材料，应用领域非常广泛，尤其在新一代移动设备中，是良好的高功率放大器，例如：下变频
2019-05-28 06:06
1、硅三极管导通电压是0.7V，锗三极管导通电压0.2-0.3V，请问什么型号的锗三极管可以代替硅三极管2N3096，实现放大？
2019-02-25 16:02
：AWR1x和IWR1x。全新毫米波传感器产品组合中的5款器件都具有小于4厘米的距离分辨率，距离精度低至小于50微米，范围达到300米。同时，功耗和电路板面积相应减少了50%。且看单芯片毫米波传感器如何抛弃锗硅工艺，
2019-07-30 07:03
本文介绍的宽动态范围硅锗直接调制器HMC497LP4 及其应用电路设计方法能帮助工程师设计出满足多频段应用的宽动态范围直接调制器。
2021-04-21 06:11
/GSM双模射频芯片”。CMOS工艺正逐渐取代硅锗BiCMOS工艺和硅BiCMOS
2019-07-05 08:33
泰克公司最近宣布首款经验证采用 IBM 8HP 硅锗 (SiGe) BiCMOS 特殊工艺技术设计的新型示波器平台ASIC各项技术指标优于规定要求，实现了新型高性能示波器的设计目标，使多通道带宽达
2019-07-24 07:47
silicon photonic circuits“。基于锗离子注入的硅波导工艺和激光退火工艺，他们实现了可擦除的定向耦合器，进而实现了可编程的
2019-10-21 08:04
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合
2019-07-29 07:16
