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：AWR1x和IWR1x。全新毫米波传感器产品组合中的5款器件都具有小于4厘米的距离分辨率，距离精度低至小于50微米，范围达到300米。同时，功耗和电路板面积相应减少了50%。且看单芯片毫米波传感器如何抛弃锗硅工艺，
2019-07-30 07:03
下午，主要由来自Silicon Radar的设计主管Dr. Wojciech Debski 带来基于SiGe HBT 工艺的电路和应用，他本人也参与很多欧盟项目，这些已经落地产品和上面的模型成功开发密不可分。 培训分二部分，第一部分将介绍24GHz、60GHz和122GHz ISM波段的雷达收发器设计。
2019-09-06 17:26
通过充分利用互补金属氧化物半导体（CMOS）技术，并将嵌入式微控制器（MCU）和数字信号处理（DSP）以及智能雷达前端集成在内，TI日前推出了横跨具有完整端到端开发平台的76-81GHz传感器系列：AWR1x和IWR1x。全新毫米波传感器产品组合中的5款器件都具有小于4厘米的距离分辨率，距离精度低至小于50微米，范围达到300米。同时，功耗和电路板面积相应减少了 50%。
2020-09-30 10:44
硅技术的迅猛发展使工程师们能够设计和创建出新型电路，这些电路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(异质结双极晶体管)和PHEMT技术才能达到，电路的核心就是锗化硅(SiGe)工艺
2019-07-30 07:56
硅管和锗管在特性上有很大不同，使用时应加以区别。我们知道，硅管和锗管的PN结正向
2006-04-17 21:40
硅管与锗管的互换
2009-09-10 17:31
恩智浦半导体（NXP Semiconductors），近日推出业界领先的QUBIC4 BiCMOS硅技术，巩固了其在射频领域的领导地位，实现在高频率上提供更优的性能和更高集成度的同时，为客户带来成本
2019-07-12 08:03
电池材料之锗硅固溶体 由锗和硅两种元素形成的溶解度无限的替位固溶体。又称
2009-11-09 09:48
锗（Ge）探测器是硅基光电子芯片中实现光电信号转化的核心器件。在硅基光电子芯片工艺中实现异质单片集成高性能Ge探测器工艺
2024-04-07 09:16
硅管、锗管的判别，感兴趣的小伙伴们可以看看。
2016-08-22 17:06
