：AWR1x和IWR1x。全新毫米波传感器产品组合中的5款器件都具有小于4厘米的距离分辨率，距离精度低至小于50微米，范围达到300米。同时，功耗和电路板面积相应减少了50%。且看单芯片毫米波传感器如何抛弃锗硅工艺，步入CM
2019-07-30 07:03
管1.1 锗二极管和硅二极管的区别Si二极管和Ge二极管的电路特性相同，制造工艺也相同。由于材料不同，Si二极管的热稳定性好，Ge二极管的热稳定性稍差。1）当电流相同时，Ge管的直流电阻小于Si管
2023-02-07 15:59
本文介绍的宽动态范围硅锗直接调制器HMC497LP4 及其应用电路设计方法能帮助工程师设计出满足多频段应用的宽动态范围直接调制器。
2021-04-21 06:11
问:为什么现在的CMOS工艺一般都是用P衬底而不是N衬底？两者有什么区别啊？答:为什么CMOS工艺采用P衬底，而不用N衬底？这主要从两个方面来考虑：一个是材料和工艺问题；另一个是电气性能问题。P型
2012-05-22 09:38
锗化硅技术(Silicon germanium)从20世纪80年代问世以来，是一种高于普通硅器件的高频半导体材料，应用领域非常广泛，尤其在新一代移动设备中，是良好的高功率放大器，例如：下变频
2019-05-28 06:06
1、硅三极管导通电压是0.7V，锗三极管导通电压0.2-0.3V，请问什么型号的锗三极管可以代替硅三极管2N3096，实现放大？
2019-02-25 16:02
BIOS是什么？BIOS的特性是什么？BIOS的作用有哪些？BIOS与CMOS的联系与区别是什么？
2021-10-25 07:11
硅技术的迅猛发展使工程师们能够设计和创建出新型电路，这些电路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(异质结双极晶体管)和PHEMT技术才能达到，电路的核心就是锗化硅(SiGe)工艺
2019-07-30 07:56
什么是TTL电平，什么是CMOS电平，他们的区别(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V ...
2022-01-25 06:19
计算机的工作原理是什么？由哪几部分组成？BIOS与CMOS的区别是什么？有什么联系？
2021-10-25 07:43
