该研究指出，科学家为挑战铟含量极限，于是在氮化镓（GaN）上生长氮化铟（InN）单原子层，不过实验结果显示，铟的浓度含量一直停留在25% 到30%，而且无法继续上升，这显示铟
2018-01-25 15:07
单面磷化铟晶片的制备方法主要包括以下步骤： 一、基本制备流程 研磨：采用研磨液对InP（磷化铟）晶片进行研磨。研磨液通常包含水、Al2O3（氧化铝）和悬浮剂，其中Al2O3的粒径通常在400
2024-12-11 09:50 广州万智光学技术有限公司 企业号
铜铟镓硒薄膜太阳电池具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等特点，光电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首，接近晶体硅太阳电池，而成本则是晶体硅电池的三分之一，被国际上称为“下一时代非常有前途的新型薄膜太阳电池”。
2018-03-01 09:54
为了隔离这两块区域，我剥离出3条细长的长方形铜箔，作为电源导轨的边界。先用划线器来标记平行线；然后，将钢尺紧贴平行线标记，用割刀沿钢尺将铜割透（需要相当大的力气，通常要好几次才能割透）。最后用烙铁加热平行线之间的铜箔，用镊子把每块铜片剥离。
2018-12-21 10:32
薄膜太阳能电池是缓解能源危机的新型光伏器件。薄膜太阳能电池可以使用在价格低廉的陶瓷、石墨、金属片等不同材料当基板来制造，形成可产生电压的薄膜厚度仅需数μm，目前转换效率最高可以达13%。薄膜电池太阳电池除了平面之外。
2018-03-01 10:10
InAs1-xSbx属于III-V族化合物半导体合金材料，随Sb组分含量的不同，室温下可覆盖3~12μm波长，并且InAsSb材料具有载流子寿命长、吸收系数大、载流子迁移率高等优点，是一种具有广阔应用前景的红外光电材料。探测器可以在150K甚至近室温下工作，具有较高的灵敏度和探测率，是低功耗、小型化、高灵敏度和快响应中长波红外探测系统的良好选择，InAsSb中长波红外探测器受到广泛的关注和研究。当前对InAsSb红外探测器的研究主要集中在以下几个方面：在二元GaSb或GaAs衬底上延伸响应波长；高温工作红外探测器；采用势垒结构、浸没透镜、等离子增强技术提高红外探测器性能等。
2022-12-02 15:40
传感器技术、通信技术和计算机技术已成为现代信息技术的三大支柱。传感器是信息采集器件，系统感知、获取和检测信息的窗口。采用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制成电流传感器是通过同时改变两个InSb-In磁阻元件阻值的途径来实现的，通过感应电流的大小来达到对工作中马达的控制。
2021-02-23 10:37
磁敏电阻是一种对磁敏感、具有磁阻效应的电阻元件。物质在磁场中电阻发生变化的现象称为磁阻效应。磁敏电阻通常用锑化铟（InSb）或砷化铟（InAs）等对磁具有敏感性的半导体材料制成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应，其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应
2019-12-20 11:36
光子集成芯片所需的材料多种多样，主要包括硅、氮化硅、磷化铟、砷化镓、铌酸锂等。这些材料各有其特性和应用领域，适用于不同的光子器件和集成芯片设计。
2024-03-18 15:27
