真空系统中利用分子气体等离子来进行刻蚀的，利用了离子诱导化学反应来实现各向异性刻蚀，即是利用离子能量来使被刻蚀层的表面形成容易刻蚀的损伤层和促进化学反应，同时离子还可清除表面生成物以露出清洁的刻蚀表面
2018-09-03 09:31
-型硅芯片，所以要做 n 型磷扩散。一般是使用 POCl 3 加上氧气与氮气，在高温扩散炉管内进行扩散。其化学反应式可表为产生的磷原子经由高温扩散的方式进入硅晶格内，形成 n -型的掺杂（dopant
2017-11-22 11:12
做，可以有较低的成本及较短的生产时间。化学镀工艺最大特色是，只需利用一系列的氧化还原反应，将镍金/镍钯金选择性的成长在铝垫上，完全不需要经过高真空溅镀/黄光工艺/蚀刻工艺，因此成本可降低，生产时间也可
2021-06-26 13:45
芯片和cpu制造流程芯片芯片属于半导体，半导体是介于导体和绝缘体之间的一类物质。元素周期表中的硅、锗、硒的单质都属于半导
2021-07-29 08:32
在智能手机等众多数码产品的更新迭代中，科技的改变悄然发生。苹果A15仿生芯片等尖端芯片正使得更多革新技术成为可能。这些芯片是如何被
2022-04-08 15:12
反应器的产品中的有用性。人们更容易接受湿分析程序可用于测量制造的湿侧使用的材料，例如超纯水、化学品和湿工作台。然而，正如我们将要展示的，湿法在分析处理过的晶片、薄膜、
2021-07-09 11:30
C63000（挤压、锻造）铝青铜出色的抗应力腐蚀开裂性能、适用于高温、高负载的工作环境。化学成分：①③⑥*⑧①⑧⑧*⑤⑨⑤⑥牌号CuAlFeNiMnSiSnZn C63000余量9.5-11.02.0-.
2021-08-31 07:29
材料的结构稳定性。 作用二：另一方面如果材料直接与电解液接触，强氧化性的Co4+将会与电解液发生反应从而导致容量损失。包覆纳米三氧化二铝（VK-L30D）后可避免LiCoO2与电解液直接接触，减少容量损失，从而提高LiCoO2材料的电
2014-05-12 13:49
树脂表面起化学反应，且冒出气泡，待反应稍止再滴，这样连滴5-10滴后，用镊子夹住，放入盛有丙酮的烧杯中，在超声机中清洗2-5分钟后，取出再滴，如此反复，直到露出
2020-04-14 15:04
美标C95400铝青铜高强度、高耐磨、良好的延展性能、焊接性能耐冲击性能和抗过载疲劳变形性能。化学成分：①③⑥*⑧①⑧⑧*⑤⑨⑤⑥牌号CuAlFeMnNi C95400余量10.0-11.53.0-5.00.51.5.
2021-08-31 09:10
