随着第三代半导体材料如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的快速发展，功率器件的性能要求日益提高。传统的封装材料已无法满足功率器件在高
2024-12-07 09:58 北京中科同志科技股份有限公司 企业号
随着碳化硅（SiC）功率器件在电力电子领域的广泛应用，其高效、耐高压、高温等特性得到了业界的广泛认可。然而，要充分发挥SiC芯片的性能优势，封装技术起着至关重要的作用。在SiC芯片封装过程中，银烧结
2025-03-05 10:53 北京中科同志科技股份有限公司 企业号
在半导体功率模块封装领域，互连技术一直是影响模块性能、可靠性和成本的关键因素。近年来，随着纳米技术的快速发展，纳米银烧结和纳米铜烧结技术作为两种新兴的互连技术，备受业界
2025-02-24 11:17 北京中科同志科技股份有限公司 企业号
TPAK SiC优选解决方案：有压烧结银+铜夹Clip无压烧结银
2024-04-25 20:27
日立制作所在“PCIM Europe 2016”并设的会议上发表了使用烧结铜的功率元件封装技术。该技术的特点是，虽为无铅封装材料，但可降低材料成本并提高可靠性。
2016-05-19 10:26
随着电力电子技术向高频、高效、高功率密度方向发展，碳化硅（SiC）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等功率器件在众多领域得到广泛应用。在这些功率
2025-06-03 15:43 北京中科同志科技股份有限公司 企业号
银 （Ag）/铜 （Cu） 压力烧结（见图 1）是一种应用于粉末材料（即纳米颗粒）的热处理工艺，以提供更高的强度、完整性和导电性。据 AMX 称，烧结目前被认为是连接电力电子器
2022-08-03 08:04
150度无压烧结银用于功率器件，提升效率降低成本 全球烧结银的领导者善仁新材不断超越自己，革新自己，最近善仁新材宣布了革命性的150度无压低温银
2024-05-23 20:25
大面积烧结银AS9387成为碳化硅功率器件封装的首选
2024-08-09 18:15
银 （Ag）/铜 （Cu） 压力烧结（见图 1）是一种应用于粉末材料（即纳米颗粒）的热处理工艺，以提供更高的强度、完整性和导电性。
2021-11-12 11:24
