本文讲了我们华林科纳研究了半导体衬底的光电效应，接触电位引起的腐蚀可以加速，光照度可以增加Pt/GaAs边界之间的接触电位，从而增强GaAs/溶液界面和Pt/溶液界面的极化，从而加速砷化镓的阳极溶解，基于这一原理，证明了光增强的电化学机制可以提高ECNL的效率。
2022-05-16 15:23
在使用低温卡盘的低压高密度等离子体反应器中研究了硅结构的深且窄的各向异性蚀刻。我们华林科纳以前已经证明了这种技术在这种结构上的可行性。已经研究了蚀刻速率和轮廓的改进，并且新的结果显示，在5 μm
2022-05-11 15:46
本文介绍了我们华林科纳在稀释SC1过程中使用兆声波来增强颗粒去除，在SC1清洗过程中，两种化学成分之间存在协同和补偿作用，H2O2氧化硅并形成化学氧化物，这种氧化物的形成受到氧化性物质扩散的限制
2022-05-18 17:12
在这项研究中，我们华林科纳使用经济特区单晶片自旋处理器开发了一种单一背面清洁解决方案，能够通过蚀刻晶片背面的几埃来去除任何金属或外来污染物，无论其涂层如何(无涂层、Si3N4或SiO2)。选择H2O
2022-05-06 14:06
我们华林科纳在这项工作中，研究了Ni/P电镀对具有不同n型发射极的晶体硅衬底的影响，在不同的温度和不同的电镀持续时间下测试两种不同的化学浴组合物，两者都具有碱性电解质，通过比较在Ni/P镀覆工艺
2022-05-07 13:22
在本报告中，我们华林科纳探讨了2-乙氧基乙醇(EGEE)、NMP和THFA在常规气溶胶喷雾清洁系统中的微粒去除和基底损伤性能。在300毫米和200毫米的基底上观察到类似的结果；这里只报告了300毫米
2022-05-07 13:46
本文介绍了我们华林科纳采用氮化硅膜作为掩膜，采用湿蚀刻技术制备黑硅，样品在250~1000nm波长下的吸收率接近90%。实验结果表明，氮化硅膜作为掩模湿蚀刻技术制备黑硅是可行的，比飞秒激光、RIE
2022-03-29 16:02
