高介电常数栅电介质和金属栅极技术(以下简称HKMG)使摩尔定律在45/32纳米节点得以延续。目前的HKMG工艺有两种主流整合方案，分别是先栅极和后栅极。后
2012-05-04 17:11
MOS场效应管即金属氧化物半导体型场效应管，属于绝缘栅型。在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因而具有很高的输入电阻（最高可达10l5Ω）。它分为N沟道管和P沟道管，如图2-54所示。通常是将衬底（基板）与源极
2019-11-30 11:01
栅极驱动IC虚焊是否会导致烧毁，这个问题涉及到多个因素，包括虚焊的严重程度、工作环境条件以及栅极驱动IC本身的特性等。以下是对这一问题的分析： 一、虚焊的影响 虚焊是指焊点处只有部分金属接触，未能
2024-09-18 09:26
五极管，也称为五极真空管或五极电子管，是一种在电子学和无线电工程中使用的电子管。它由五个电极组成：阴极（cathode）、控制栅极（control grid）、帘栅极（screen grid）、阳极
2024-09-24 14:34
刻蚀硅，硅的均匀剥离，同时带走表面颗粒。随着器件尺寸缩减会引入很多新材料（如高介电常数和金属栅极），那么在后栅极制程，多晶硅的去除常用氢氧化氨或四甲基羟胺（TMAH）溶液，制程关键是控制溶液的温度和浓度，以调整刻蚀对
2023-06-05 15:10
本文介绍了集成电路制造工艺中的栅极的工作原理、材料、工艺，以及先进栅极工艺技术。
2025-03-27 16:07
IGBT的驱动电路必须具备两种功能：一是实现控制电路与被驱动IGBT栅极的电位隔离；二是提供合适的栅极驱动脉冲。实现电位隔离可以采用脉冲变压器、微分变压器及光耦合器。
2019-10-07 14:26
金属层2（M2）工艺与金属层1工艺类似。金属层2工艺是指形成第二层金属互连线，金属互连线的目的是实现把第一层
2024-10-24 16:02
栅极驱动芯片选型时考虑低功耗的原因主要有以下几点： 1. 降低系统能耗 低功耗的栅极驱动芯片能够显著降低整个系统的待机功耗，这对于需要长时间运行的电子设备尤为重要。低功耗特性能够延长设备的电池寿命
2024-09-18 09:20
在了解mos管栅极电阻的作用之前，我们先了解一下mos管栅极及其他2个极的基础知识。场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极
2022-09-27 15:29
