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本文简单介绍了高K金属栅极的结构、材料、优势以及工艺流程。   High-K Metal Gate(HKMG)技术是现代半导体制造中的关键技术之一，广泛应用于45nm、32nm、22nm及以下节点

2024-11-25 16:39

高介电常数栅电介质和金属栅极技术(以下简称HKMG)使摩尔定律在45/32纳米节点得以延续。目前的HKMG工艺有两种主流整合方案，分别是先栅极和后栅极。后

2012-05-04 17:11

电子发烧友网讯：纳米电子研究中心IMEC （Leuven， Belgium） 正评估用未来新型三极管替代金属栅极（RMG）技术和当前高K金属栅极 （HKMG） 架构的使

2012-06-14 11:45

金属栅极的沉积方法主要由HKMG的整合工艺决定。为了获得稳定均匀的有效功函数，两种工艺都对薄膜厚度的均匀性要求较高。另外，先栅极的工艺对金属薄膜没有台阶覆盖性的要求，但

2023-12-11 09:25

目前，高K栅介质与金属栅极技术已广泛应用于 28mmn 以下高性能产品的制造，它在相同功耗情况下可以使集成电路的性能大幅度提高，泄漏电流大幅下降。

2022-11-18 11:13

本文解释了为什么采用多晶硅作为栅极材料   栅极材料的变化   如上图，gate就是栅极，栅极由最开始的铝栅，到多晶硅栅，再到HKMG工艺中的

2025-02-08 11:22

本文介绍了FinFET（鳍式场效应晶体管）制造过程中后栅极高介电常数金属栅极工艺的具体步骤。

2025-01-20 11:02

HKMG实现工艺的两大流派及其详解 随着晶体管尺寸的不断缩小，HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技

2010-03-23 10:24

肖特基二极管是通过PN结上有额外的金属栅极（Gate）引入的，可以通过调节栅极电压控制二极管的导通和关断状态。整流二极管是通过PN结的直接工作来实现整流功能，没有额外的栅极

2023-08-17 15:47