在二维和三维模型中，除了有效质量之外，我们还需要输入一个描述电场线方向的坐标变量，并输入一个（二维）或两个（三维）跨过隧穿边界的坐标变量。在简单的矩形几何中，内置空间变量 x，y 和 z（或基于它们
2019-02-04 16:58
本推文第一部分是隧穿管TFET的仿真，第二部分是回答读者在选择用于仿真的电脑时，该如何选择给出自己浅薄的意见。
2023-12-03 16:29
1896年，当时法国物理学家亨利·贝克勒尔听说了最近发现的X射线，他决定寻找发射出类似于X射线的东西。贝克勒尔认为，荧光现象可能以某种方式与 X 射线有关，因此他设计了一个实验来证明——贝克勒尔计划将铀盐晶体样本暴露在光下。他在太阳光下将这些晶体与一个金属物体放在未曝光的照相底片上，他认为如果冲洗后的底片显示出该物体的图像，那么这表明荧光盐晶体实际上正在发射X射线。
2023-09-11 11:37
2018年12月17日复旦大学物理学系修发贤课题组在《自然》杂志上刊发了他们的研究成果：在拓扑半金属砷化铬纳米片中观测到由外尔轨道形成的新型三维量子霍尔效应。该项研究成果我国科学家首次在三维空间中发现量子的霍尔
2019-01-01 11:07
短沟道效应严重制约了硅基晶体管尺寸的进一步缩小，限制了其在先进节点集成电路中的应用。开发新材料和新技术对于维系摩尔定律的延续具有重要意义。
2024-12-06 11:02
量子自旋霍尔效应是一种拓扑绝缘体的特性，指的是一种材料在内部是绝缘的，但是在边缘有导电的态。这些边缘态具有特殊的性质，例如不受杂质或缺陷的影响，以及具有反向的自旋极化。
2023-05-23 11:38
芯片行业量子效应 在未来的节点上总有一些意想不到的行为，我们对如何处理它们还不是十分清楚。 例如在最先进的节点上变得越来越明显的是量子效应，导致电子器件和信号行为异常和
2018-08-29 10:59
随着器件的特征尺寸减少到90mm 以下，栅氧化层厚度也不断减小，载流子的物理特性不再遵从经典理论，其量子效应会变得非常显著。纳米器件的沟道掺杂浓度高达3*1017cm-2以上，栅氧化层的厚度小于
2024-08-07 11:40
长时间使用计算机时，会遇到计算机发热、能量损耗、速度变慢等问题，这是因为常态下芯片中的电子运动没有特定的轨道，它们相互碰撞从而发生能量损耗。量子霍尔效应的发现，为我们突破摩尔定律和集成电路的发展提供了一个全新的原理。
2023-11-09 10:37
介观压阻效应的定义为“等效电阻的应力调制”，等效电阻是对共振隧效应的一种具体描述。由4个物理过程组成：①在力学信号下，纳米结构中的应力分布将发生变化；②一定条件下应力变化可引起内建电场的产生；③内建电场将导致纳米带结
2021-03-23 15:40
