`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率
2019-07-09 17:30
40V，60V MOSFET可大幅简化热管理，从而节省成本。 一个典型的服务器电源的输出电压为12V，在100%输出负载下，功率为600W至2400W，业界的
2018-12-06 09:46
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管`
2012-08-20 08:03
（th）额定值大于0.5VVDS=60V，ID=75A，Ptot=137W应用：12 V汽车系统；电机，灯具和电磁阀控制；起停微混合动力应用；变速箱控制；超高性能电源开关引脚信息：`
2021-01-23 11:20
型号:HC080N06LS【06N06】丝印：HC606参数：60V 6A 类型：N沟道场效应管 沟槽型内阻72mR低结
2021-03-08 16:42
(SOT)-23，漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，你有空间受限的问题吗？”我问。他承认有，于是我让他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06
的非常宽的结温和存储温度范围.特征：•沟槽型Power MV MOSFET技术-60V•低RDS(ON)•低 GATE CHARGE•针对快速切换应用程序进行优化•VDS：-
2019-03-13 10:54
MOSFET最常用作输入电压低于15VDC的降压稳压器中的高侧开关。根据应用的不同，N沟道MOSFET也可用作降压稳压器
2018-03-03 13:58
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率
2019-05-10 06:46
NTD32N06L的技术参数产品型号:NTD32N06L源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on
2008-09-01 13:43
