GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化镓场效应管，采用 CCPAK1212i 顶部散热封装技术，
2023-12-24 09:30
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管（GaN）市场。
2019-11-22 15:16
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件
2025-01-23 16:27
ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化镓(GaN)FET采用低导通电阻和高速开
2023-06-19 15:09
润新微电子（Runxin Microelectronics）荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管（FET），该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点： 易于使用：
2023-06-12 16:38
；内置ESD保护功能，有助于实现高可靠性的设计。另外，通过采用通用性高的DFN封装，不仅散热性能出色，还非常易于安装。采用DFN8080K 封装，属于 650V 增强型氮化
2025-03-07 15:46
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。该 LMG3616 通过将 GaN
2025-02-24 10:43
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。该LMG3614通过将 GaN FE
2025-02-21 14:37
全球知名半导体制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量产。这一里程碑式的进展
2025-02-18 10:03
全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride：氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服
2023-05-24 15:19
