。对于当今的大电流、高功率应用和650 V GaN功率场效应晶体管，通常需要更高效的器件散热方式，甚至已成为强制性的要求。因此，顶部散热方式的 CCPAK封装，可以提供
2023-02-09 09:32
传统的升压PFC仅使用一个有源开关，通常是650V超结Si MOSFET。当今，大多数常规开关电源都采用升压PFC，从而充分利用其简单性、低成本和可靠性。用650V GaN
2021-04-14 11:22
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT
2022-08-01 10:11
对于 48V 电源系统中的 GaN FET 应用，现有的一种方法是使用基于 DSP 的数字解决方案来实现高频和高效率设计。这在很大程度上是由于缺乏设计用于GaN
2022-08-04 09:58
JL3I200V65RE2PN为650V /200A INPC三电平逆变模块，采用沟槽栅场终止技术IGBT7芯片，带热敏电阻（NTC）和可选 PressFIT压接针脚技术。
2025-01-16 14:16
ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟
2018-08-20 17:26
IGBT 作为一种功率半导体器件，广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点，是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势，在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31
指标。为了提高电源的效率，80 PLUS钛金级电源的设计人员正在寻找650 V GaN FET，实现更小、更快、更凉、更轻的系统，同时降低总体系统成本。
2023-02-08 09:17
新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计，大幅度提升器件的电流密度。同时优化了器件的开关特性，为系统设计提供更大的余量。
2024-08-15 16:34
