BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57
模拟和 GaN 逻辑的全功能 650V GaN 功率 IC 于 2016 年和 2017 年以单开关 v 和半桥 vi 格式推出，如图 2 所示。文章全部详情，请加
2021-07-06 09:38
作为一项相对较新的技术，氮化镓(GaN) 采用的一些技术和思路与其他半导体技术不同。对于基于模型的GaN功率放大器(PA) 设计新人来说，在知晓了非线性
2019-07-31 06:44
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03
混合多芯片模块有助于防止过压和欠压。解决问题的一个设备是德州仪器的LMG5200。该混合多芯片模块（MCM）包含两个具有集成驱动器的半桥配置的80V，10-A GaN FET。功能框图如图3所示。请注意
2017-05-03 10:41
全新的650V IGBT4 [1]采用沟槽MOS-top-cell薄片技术和场终止概念，如图1所示。沟槽与场终止技术的结合，带来相对低的通态和关断损耗。相对于600V IGBT3，该芯片的厚度增加约
2018-12-07 10:16
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53
650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38
0前言家用逆变焊机因其体较小，操作方便，市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点，一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。IGBT (Insul
2014-08-13 09:25
