采用 CCPAK1212i 封装的 650 V、33 mOhm
2023-02-16 20:47
采用 CCPAK1212i 封装的 650 V、33 mOhm
2023-02-16 20:47
采用 CCPAK1212 封装的 650 V、33 mOhm
2023-02-16 20:47
采用 CCPAK1212 封装的 650 V、33 mOhm
2023-02-16 20:48
650 V、50 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN063-650
2023-02-17 19:47
采用 TO-247 封装的 650 V、35 mΩ 氮化镓 (GaN) FET-
2023-02-17 18:46
电子发烧友网站提供《GAN039-650NBB氮化镓(GaN)FET规格书.pdf》资料免费下载
2025-02-13 16:10
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化镓场效应管，采用 CCPAK1212i 顶部散热封装技术，
2023-12-24 09:30
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管（GaN）市场。
2019-11-22 15:16
电子发烧友网站提供《NextPower 100 V，1.04 mOhm，N沟道MOSFET CCPAK1212i包目标数据表.pdf》资料免费下载
2024-02-20 10:55
